ГлавнаяКонтактыКарта сайта
ЕПОС
О компанииКомпьютерная криминалистикаВосстановление информацииЗащита информацииПроизводство и ITСервисНаши разработки

Расследование инцидентов, компьютерная криминалистика, информационная безопасность

Книжная серия Взгляд на жесткий диск изнутри




 Новости


Вернуться к списку новостей

ЕПОС разработал второе поколение комплекса восстановления информации с Flash
 комплекс восстановления информации с флэш накопителей EPOS FlashReader

Компания ЕПОС разработала второе поколение комплекса для восстановления информации с флэш накопителей EPOS FlashExtractor. Основными отличиями нового комплекса по сравнению с предыдущей версией EPOS IRS-Flash стали повышенная (в 2-3 раза) скорость чтения микросхем памяти, встроенные средства коррекции ошибок считывания и управления напряжением питания чипов.

За 3 года, прошедших с разработки первой версии, в технологиях Flash памяти произошли большие изменения. Среди ключевых изменений можно отметить:

  • Значительный рост средней емкости чипов Flash памяти. Так, наиболее популярный объем Flash накопителя увеличился с 256МБ в 2005 г. до 2ГБ в 2008Г. В этом году на рынке уже доступны чипы емкостью 32ГБ. Соответственно увеличилось и время чтения данных из памяти.

  • Широкое распространение Flash памяти, построенной на технологии MLC (multi-level cell). В такой памяти в одной ячейке хранится не два, а четыре или более битов. С одной стороны, это позволило нарастить емкость, с другой – привело к значительному сокращению надежности и помехоустойчивости. Как следствие, резко увеличилось количество случаев, когда Flash память содержит дефектные или нестабильно читаемые блоки данных.

  • Усложнение логической организации памяти. Разработаны различные механизмы внутренней адресации блоков памяти с параллельной обработкой, позволяющие повысить быстродействие Flash. Это привело к усложнению протоколов чтения/записи данных.

  • Внедрение новых стандартов питания микросхем памяти. В последнее время все чаще используется Flash с пониженным напряжением питания (1,8В) или с двумя напряжениями питания.

Эти изменения приводят к увеличению времени, требуемого для восстановления данных, и значительно усложняют процесс восстановления данных.

Комплекс EPOS FlashExtractor позволит преодолеть эти трудности. Он обеспечивает считывание данных с максимальной скоростью, которая ограничена только быстродействием микросхем памяти. Для современных 16-разрядных чипов она достигает 3,5 ГБ/мин. Впервые примененная в комплексе технология коррекции ошибок позволяет восстанавливать данные даже из поврежденных ячеек памяти, обеспечивая максимальную достоверность считываемых данных. В комплексе реализована поддержка самых современных протоколов чтения из микросхем памяти. Это позволяет корректно извлекать данные из микросхем всех типов и емкостей любых производителей. Обеспечена поддержка трех различных уровней напряжений питания, а также возможность работы с новейшими чипами памяти, имеющими два напряжения питания.

Новый комплекс внедрен в технологический процесс Центра восстановления информации ЕПОС.

Основные особенности и характеристики EPOS FlashExtractor

  • Высокая скорость считывания данных – до 3,5ГБ/мин
  • Коррекция ошибок чтения
  • Управление напряжениями питания микросхем памяти
  • Горячее подключение к ПК по интерфейсу eSATA
  • Поддержка микросхем со сложной логической организацией памяти
  • Расширенная поддержка микросхем памяти любых производителей
  • Отсутствие необходимости в установке драйверов и инсталляции ПО для работы с комплексом
 
Опубликовано 14.07.2009

Популярные услуги ЕПОС:


Поделиться информацией